Snapdragon 835: procesor vlajkových lodí v roce 2017
18.11.2016, Jáchym Šlik, aktualita
Qualcomm oznámil nový mobilní procesor Snapdragon 835, který je jako první vyroben 10nm technologií. Podporovat bude nové rychlé nabíjení Quick Charge 4.0, které umožní za pouhých 5 minut dobíjení zvýšit výdrž až o 5 hodin.
Chloubou Qualcommu v oblasti mobilních procesorů byl v první polovině letošního roku Snapdragon 820, který v létě doplnil Snapdragon 821. Oba procesory využívají čtveřici jader Kryo a grafický akcelerátor Adreno 530, liší se jen frekvence. V příštím roce se ovšem dočkáme výraznějšího upgradu v oblasti mobilních procesorů, jak potvrdil Qualcomm v tiskové zprávě. Snapdragon 835 bude prvním čipem tohoto amerického výrobce, který bude využívat 10nm výrobní proces FinFET od Samsungu. Oproti předchozím 14nm procesorům by měl být výkon navýšen až o 27 %, naopak spotřeba údajně klesne až o 40 %. Komponent rovněž ve smartphonu zabere o téměř třetinu méně prostoru, takže uvolní prostor jiným součástkám.
Na technické detaily byl bohužel Qualcomm velmi skoupý, a tak kromě informace o přechodu na 10nm výrobní proces nemáme k dispozici žádné technické podrobnosti. Zatím se tedy můžeme pouze dohadovat o použitém počtu jader, jejich typu, taktu nebo grafickém výkonu. Dozvěděli jsme se pouze to, že Snapdragon 835 bude prvním procesorem podporujícím technologii rychlého nabíjení Quick Charge 4.0. Ve srovnání s předchozím Quick Charge 3.0, který byl použit mimo jiné v Samsungu Galaxy S7, HTC 10 nebo LG G5, bychom měli zaznamenat 20% nárůst rychlosti dobíjení a 30% zlepšení energetické efektivity.
Ani v tomto případě nemáme k dispozici podrobnější technické údaje, vystačit se tedy musíme s pár marketingovými prohlášeními. Quick Charge 4.0 umožní nabít až 50 % kapacity baterie za pouhých 15 minut. A pětiminutové připojení do zásuvky potom údajně umožní doplnit dostatek energie pro pět hodin provozu. V praxi se možná nedočkáme až tak úchvatných výsledků, přesto nám vylepšené rychlé nabíjení zase o trochu více usnadní život, především pokud se bavíme o smartphonech s nedostatečnou kapacitou baterie. Vyžadována ovšem bude kompatibilní nabíječka. Quick Charge 4.0 bude (na rozdíl od předchozích verzí) podporovat standardy USB Type-C a USB-PD (Power Delivery).
První telefony s procesorem Snapdragon 835 se na trhu objeví nejspíš v první polovině roku 2017.
Zdroj: Gsmarena.com
Na technické detaily byl bohužel Qualcomm velmi skoupý, a tak kromě informace o přechodu na 10nm výrobní proces nemáme k dispozici žádné technické podrobnosti. Zatím se tedy můžeme pouze dohadovat o použitém počtu jader, jejich typu, taktu nebo grafickém výkonu. Dozvěděli jsme se pouze to, že Snapdragon 835 bude prvním procesorem podporujícím technologii rychlého nabíjení Quick Charge 4.0. Ve srovnání s předchozím Quick Charge 3.0, který byl použit mimo jiné v Samsungu Galaxy S7, HTC 10 nebo LG G5, bychom měli zaznamenat 20% nárůst rychlosti dobíjení a 30% zlepšení energetické efektivity.
Ani v tomto případě nemáme k dispozici podrobnější technické údaje, vystačit se tedy musíme s pár marketingovými prohlášeními. Quick Charge 4.0 umožní nabít až 50 % kapacity baterie za pouhých 15 minut. A pětiminutové připojení do zásuvky potom údajně umožní doplnit dostatek energie pro pět hodin provozu. V praxi se možná nedočkáme až tak úchvatných výsledků, přesto nám vylepšené rychlé nabíjení zase o trochu více usnadní život, především pokud se bavíme o smartphonech s nedostatečnou kapacitou baterie. Vyžadována ovšem bude kompatibilní nabíječka. Quick Charge 4.0 bude (na rozdíl od předchozích verzí) podporovat standardy USB Type-C a USB-PD (Power Delivery).
První telefony s procesorem Snapdragon 835 se na trhu objeví nejspíš v první polovině roku 2017.
Zdroj: Gsmarena.com
-100.jpg)
