Samsung ohlásil výkonné a úsporné LPDDR4
2.1.2014, Jan Vítek, aktualita
Zatímco v desktopovém světě se paměti DDR4 chystají na trh společně s očekávanými procesory Haswell-E, mobilní verze nejsou o nic pozadu. Samsung již oznámil, že vyrobil první 8Gb moduly LPDDR4 vyznačující se vysokým výkonem a nízkou spotřebou.
A právě vhodný mix těchto vlastností je u mobilních produktů nejdůležitější a my se můžeme těšit, že se LPDDR4 objeví už v další generaci mobilních telefonů či tabletů, tedy pochopitelně u těch výkonnějších a dražších modelů. Samotný standard LPDDR4 však ještě čeká na oficiální dotvoření, které se plánuje na tento rok bez bližšího upřesnění.
Své paměti LPDDR4 s kapacitou 8 Gb už tedy představil Samsung a po něm přišel s oznámením i Hynix, jemuž to však nezabránilo, aby si v tiskovce přisvojil prvenství. Obě firmy slibují paměťové čipy se stejnou kapacitou a vyráběné 2Xnm procesem. Jeden čip tak nabídne kapacitu 1 GB, což představuje velmi vysokou hustotu dat, ale především se můžeme těšit na vysoký výkon, čili přenosové rychlosti. Na pin to u LPDDR4 znamená 3200 Mbps, což je dvakrát více než u LPDDR3, a to díky novému rozhraní Low Voltage Swing Terminated Logic (LVSTL) I/O. S ním přišel Samsung a následně prosadil u JEDEC jako standard.
V reálném provozu má paměťové rozhraní LPDDR4 poskytnout o polovinu větší propustnost než ty nejvýkonnější paměti LPDDR3 nebo DDR3, přičemž spotřeba bude o cca 40 procent nižší, a to i díky použití nižšího napětí 1,1 V.
V této době Samsung dodává na trh 3GB LPDDR3 řešení (složené z 6Gb čipů), s nímž přišel na trh v listopadu, a nyní tak budou následovat 8Gb paměti, takže můžeme očekávat příchod nových zařízení se 4 GB RAM. Otázkou ale je, kdy to přesně bude, protože i v závěru se zpráva zmiňuje pouze o roku 2014.
Zdroj: X-bit labs
Své paměti LPDDR4 s kapacitou 8 Gb už tedy představil Samsung a po něm přišel s oznámením i Hynix, jemuž to však nezabránilo, aby si v tiskovce přisvojil prvenství. Obě firmy slibují paměťové čipy se stejnou kapacitou a vyráběné 2Xnm procesem. Jeden čip tak nabídne kapacitu 1 GB, což představuje velmi vysokou hustotu dat, ale především se můžeme těšit na vysoký výkon, čili přenosové rychlosti. Na pin to u LPDDR4 znamená 3200 Mbps, což je dvakrát více než u LPDDR3, a to díky novému rozhraní Low Voltage Swing Terminated Logic (LVSTL) I/O. S ním přišel Samsung a následně prosadil u JEDEC jako standard.
V reálném provozu má paměťové rozhraní LPDDR4 poskytnout o polovinu větší propustnost než ty nejvýkonnější paměti LPDDR3 nebo DDR3, přičemž spotřeba bude o cca 40 procent nižší, a to i díky použití nižšího napětí 1,1 V.
V této době Samsung dodává na trh 3GB LPDDR3 řešení (složené z 6Gb čipů), s nímž přišel na trh v listopadu, a nyní tak budou následovat 8Gb paměti, takže můžeme očekávat příchod nových zařízení se 4 GB RAM. Otázkou ale je, kdy to přesně bude, protože i v závěru se zpráva zmiňuje pouze o roku 2014.
Zdroj: X-bit labs
-100.jpg)
